پاسخ دهید متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق

دانشکده تحصیلات تکمیلی

“M.Sc” پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – مخابرات

عنوان:

تحلیل و شبیه سازی کاربرد ساختارهای EBG و Metamaterial superstrate در افزایش گین و دایرکتیویته آنتن های میکرواستریپ

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده:

آنتن های میکرواستریپ کاربرد های زیادی در صنعت، تجهیزات مخابراتی و نظامی دارند که به دلیل سادگی تحلیل و ساخت و خصوصیات تشعشعی جالبشان است. با این وجود این آنتنها بهره و پهنای باند پایینی دارند که به دلیل وجود موج سطحی و تشعشع منبع در جهات مختلف است. یک راه حل جدید استفاده از ساختارهای متناوب Electromagnetic band gap یا به اختصار EBG است. در این رساله دو کاربرد این ساختارهای متناوب مورد بررسی قرار گرفته است. در کاربرد اول ساختار های
متناوب بر روی زیرلایه آنتن قرار می گیرند که با ایجاد یک باند شکاف در یک محدوده فرکانسی معین از انتشار موج سطحی جلوگیری می نمایند. در کاربرد دوم، ساختار های متناوب EBG در یک فاصله معین بالای منبع تشعشع آنتن که پچ است قرار گرفته و با ایجاد پدیده فوق شکست، تشعشع در جهات مختلف را در جهت عمود به ساختار های EBG متمرکز می نماید.
مقدمه:
مواد Electromagnetic bandgap، ساختارهای متناوب هستند که از دی الکتریک ها، مواد فلزی یا ترکیبی از مواد فلزی و دی الکتریکی، تشکیل شده اند. این ساختار ها می

این مطلب را هم بخوانید :

تجربه متفاوت از سفر با خودرو؛ گزارش نمایشگاه خودروهای کمپ‌ و کاروان

 توانند از انتشارموج در جهات و فرکانس های ویژه جلوگیری نمایند، بنابراین آنها می توانند به عنوان فیلترهای فرکانسی و جهتی در نظر گرفته شوند. پیکربندی های گوناگونی از ساختارهای EBG وجود دارند که می توانند در آنتن های میکرواستریپ مورد استفاده قرار گیرند. این پیکربندی ها به سه طبقه تقسیم می شوند:

– سطوح امپدانس بالا مانند ساختار های EBG دو بعدی که می توانند به عنوان زیر لایه آنتن های میکرواستریپ به منظور حذف موج سطحی استفاده شوند.
– سطوح مصنوعی مانند هادی های مغناطیسی مصنوعی و سطوح غیرفعال برای طراحی آنتن های low profile.
– آنتن ها با دایرکتیوته بالا که بر اساس ایجاد باند گذر و ضریب شکست صفر در ساختارهای EBG طراحی می شود. در این حالت ساختار EBG به عنوان یک فلیتر فرکانسی و جهتی معین با ضریب کیفیت بالا عمل کرده و امواج الکترومغناطیسی را عبور می دهد.
برای برخی منابع تشعشعی مانند آنتن های پچ میکرواستریپ ساختارهای EBG می توانند به صورت فوق لایه پیکربندی شوند هدف اصلی از این پیکربندی افزایش بهره و دایرکتیویته آنتن های میکرواستریپ می باشد. آنتن های دایرکتیو فشرده با یک نقطه تغذیه، جذابیت بالایی در عمل دارند. با این وجود پترن های تشعشعی آنها توسط موج سطحی تحت تاثیر قرار گرفته و گین پایینی دارند. از سوی دیگر آنتن های آرایه ای بهره و دایرکتیویته بالایی دارند اما دارای مکانیسم تغذیه پیچیده و بازده تشعشع محدود به کاربرشان می باشند. بنابراین آنتن با بهره و دایرکتیویته بالا با ساختارهای فشرده و مکانیسم تغذیه ساده در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. برای رسیدن به این منظور از ساختار های EBG استفاده شده است.
فصل اول
کلیات
1-1) هدف
آنتن های میکرواستریپ مزیت زیادی از جمله low profile، تطبیق پذیری با سطوح صفحه ای و غیرصفحه ای، سادگی وارزانی ساخت با بهره گرفتن از تکنولوژی مدار چاپی مدرن، استحکام مکانیکی و تطبیق

پاسخ دهید متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق

دانشکده تحصیلات تکمیلی

“M.Sc” سمینار برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – کنترل

عنوان:

کاربرد نظریه ترکیب اطلاعات در تعیین روند تغییرات بازار بورس (روش OWA)

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده:
در این سمینار ابتدا بصورت مختصر مفاهیم اصلی سیستم سهام را بیان میکنیم. سپس روش های Conventional ترکیب اطلاعات را توضیح می دهیم. پس از آن کاربرد روش OWA در ترکیب اطلاعات حاصل از شاخصها برای تعیین نوسانات بازار بورس را مورد بررسی قرار میدهیم. در گام بعدی، اطلاعات مربوط به 10 روز کاری بازار بورس تهران را به عنوان داده های مورد نیاز در نظر گرفته و منحنی های مربوط به شاخص های تاثیر گذار در بازار بورس را بدست می آوریم. در انتها شبیه سازی روش توسط نرم افزار Matlab و نتایج آن را مورد مطالعه قرار می دهیم.

مقدمه:
اولین بورس اوراق بهادار در دنیا در شهر آمستردام و توسط اولین شرکت چند ملیتی به نام کمپانی هند شرقی هلند راه اندازی شد. به همین ترتیب کمپانی هند شرقی هلند اولین شرکتی بود که سهام منتشر کرد. بورس آمستردام در سپتامبر 1602، شش ماه پس از تشکیل شرکت کمپانی هند شرقی هلند تاسیس شد.
در سال 1698، فهرستی از نرخ سهام و کالا توسط شخصی در قهوه خانهای در لندن منتشر شد. داد و ستد در لندن آغاز شده بود و کارگزاران دریافتند که باید هرچه زودتر از بورس سلطنتی – مرکز تجارت لندن – خارج شوند. بورس سلطنتی مرکز داد و ستد اقلام فیزیکی یعنی کالاهایی که از بندر (لنگرگاه لندن) وارد میشد بود.
50 سال بعد اولین بورس اوراق بهادار لندن به وجود آمد. این بورس جدید اوراق بهادار لندن، نقش مهمی در انقلاب صنعتی بریتانیا ایفا کرد و ماهیت اوراق بهادار در سطح اروپا و ایالات متحده فراگیر شد. اما تا سال 1801 هیچ گونه مقررات یا عضویت رسمی در بورس اوراق بهادار لندن مشاهده نشد. در حالیکه بزرگترین گامهای تغییر در تاریخ دنیا به وقوع می پیوست، هنوز تعدادی اعتقاد داشتند که خرید و فروش سهام امری غیر اخلاقی و شیطانی محسوب میشود.

این مطلب را هم بخوانید :

دانلود پایان نامه ارشد |

همزمان با انتشار فهرست ابزارهای مالی در قهوه خانهای در لندن، کارگزاران سهام در زیر درختی در خیابان “وال استریت ” نیویورک برای داد و ستد سهام، نشست ترتیب دادند. وال استریت، یک دیوار مستحکم در نیویورک بود که به هر علتی توسط هلندیان بنا شده بود. در سال 1792، 24 کارگزار سهام قراردادی را امضا کردند که بعدها “هیأت سهام و بورس نیویورک” – شرکتی که بعدها به بورس اوراق بهادار نیویورک تبدیل شد جایگزین آن شد. قرار داد” باتن وود نه تنها پیدایش بورس اوراق بهادار نیویورک را باعث شد بلکه شاهد انکارناپذیری مبنی بر توسعه ایالات متحده و تبدیل آن به یک ابرقدرت اقتصادی محسوب شد. جالب است که وال استریت در کنار دیگر سمبل ایالات متحده یعنی آسمان خراشها، به عنوان نماد قدرت و پول این کشور به شمار میرود. امروزه نقش بورس اوراق بهادار در اقتصاد جهان غیر قابل انکار است. شاید محققان نیز هیچگاه تصور نمیکردند که کاری که شرکتی در 400 سال پیش ابداع کرد، سراسر دنیا را در برگیرد.

پاسخ دهید متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق

دانشکده تحصیلات تکمیلی

“M.Sc” سمینار برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – قدرت

عنوان:

شناخت و بررسی اجزای تلفات در شبکه های توزیع و ارائه راه حل هایی جهت کاهش آن

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده
با توجه به توسعه سریع و روز افزون صنعت در جهان معاصر، مسئله تامین انرژی موردنیاز مشترکین از اهمیت خاصی برخوردار می باشد لذا با افزایش تراکم مصرف در شهرها و مناطق صنعتی مسائل فنی و اقتصادی بسیاری را برای طراحان و بهره برداران سیستم به وجود می آید. از جمله مسائل فنی، تلفات انرژی در شبکه های انتقال و توزیع می باشد که باعث می شود ظرفیت نیروگاهی زیادی تلف شود و هزینه های زیادی بر دوش جامعه سنگینی کند.
بی تردید کاهش تلفات بدون آگاهی از اجزای تلفات و میزان تاثیر عوامل مختلف در آن میسر نیست، راه حل هایی که برای کاهش هریک از اجزای تلفات مورد استفاده قرار می گیرد، متفاوت است. کاهش تلفات ناشی از گردش توان راکتیو در شبکه، کاهش تلفات ژولی، نشتی جریان، استفاده غیرمجاز از برق و… هریک راه حل جداگانه و خاص خود را می طلبد. بدیهی است شناسایی کم و کیف خود این اجزاء نیز می تواند پیش درآمد توسط به راه حل های مناسب باشد.
در این سمینار از اطلاعاتی که از بخش توزیع و شرکت های مشاوره ای استان مازندران بدست آمده موارد اتلاف انرژی در بخش توزیع شناسائی شده است و با الهام از تجربه

 کشورهای دیگر روش های کاهش اتلاف انرژی در ایران ارائه گردیده است.

مقدمه
امروزه با پیشرفت روزافزون جامعه و نیاز شدید به انرژی الکتریکی و محدودیت و هزینه بالای تولید آن، صنعت برق را بر آن داشت تا برای صرفه جوئی سرمایه گذاری و کاهش اتلاف انرژی در بخش های مختلف به بررسی دقیق پرداخته است.
به دلایل مختلفی که در ادامه آورده شده است (مهمترین این دلایل، بالا بودن جریان در سیستم های توزیع می باشد)، تلفات انرژی در بخش توزیع بیشتر از سیستم های انتقال انرژی می باشد و براساس بررسی های به عمل آمده مشخص شده است که بیش از 10 الی 15 درصد انرژی تولیدی توسط نیروگاه ها در شبکه های توزیع تلف می شود، بر این اساس و به لحاظ گرایش جهانی به صرفه جویی در مصرف انرژی و ملاحظات زیست محیطی کاهش تلفات در سیستم توزیع انرژی الکتریکی در سنوات اخیر مورد توجه زیادی قرار گرفته است.
باید توجه داشت که میزان تلفات انرژی الکتریکی به عوامل متعددی از جمله ساختار و آرایش شبکه، طول و سطح مقطع خطوط، نحوه توزیع بار بین خطوط، ضریب توان و میزان قدرت راکتیو، میزان عدم تعادل بار، کیفیت اتصالات و قطعات و اجزای سیستم و… بستگی دارد.

این مطلب را هم بخوانید :

پایان نامه های دانلودی رشته مدیریت

بدیهی است شناخت درست کیفیت و میزان تاثیر هریک از این عوامل در مقدار تلفات، پیشنیاز هر طرح و اقدام عملی در راستای کاهش تلفات است. مطالعه و ارائه راهکارهای عملی در ارتباط با تجدید آرایش سیستم توزیع، کنترل و جبران توان واکنشی و خازن گذاری، متعادل نمودن بار و… نمونه هایی از تلاش های گسترده با اهدافی نظیر ارتقاء ضریب اطمینان و تداوم سرویس، بهبود کیفیت توان و بالاخص کاهش تلفات می باشد. علیرغم سادگی بحث محاسبه تلفات که در رابطه RI2 تجلی می نماید، به دلیل وابستگی تلفات به عوامل متعدد نظیر آنچه در بالا به آن اشاره شد و نیز عوامل دیگری مثل تغییر مقدار مقاومت تحت تاثیر عوامل جوی، درجه حرارت محیط، تابش خورشید، گرمای ناشی از عبور جریان، تغییر بار و… بررسی و مدلسازی تلفات برای دستیابی به نتایج واقع بینانه کار دشوار و در عین حال مفید و ضروری است. با توجه به همین

پاسخ دهید متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق

دانشکده تحصیلات تکمیلی

سمینار برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – الکترونیک

عنوان:

بررسی جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و کاهش نشت توان با کنترل GIDL در ترانزیستور MOSFET

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده:
در بسیاری از طرح های با کارآیی بالای جدید، اهمیت نشت توان مصرفی قابل مقایسه با سرعت کلیدزنی است. گزارش شده است 40% یا حتی بیشتر توان مصرفی کل ناشی از نشت ترانزیستورها می باشد. این درصد با مقیاس بندی تکنولوژی افزایش می یابد مگر اینکه تکنیک های موثری برای کنترل نشتی معرفی گردد، هدف از این مطالعه بهینه سازی و طراحی تکنیک های جدید برای کنترل جریان نشتی درین القاء شده از گیت (GIDL) و به دنبال آن کاهش نشت توان است.
مقدمه:
با پیشرفت سریع در فناوری ساخت افزاره های نیمه هادی، چگالی تراشه ها و سرعت آنها افزایش یافته است. کنترل توان مصرفی در افزاره های قابل حمل مسئله ای اساسی است. توان مصرفی بالا طول عمر باتری موجود در این افزاره ها را کاهش می دهد. کاهش توان تلفاتی حتی برای افزاره های غیرقابل حمل، نیز مهم می باشد زیرا افزایش توان تلفاتی

این مطلب را هم بخوانید :

طوفان فکری آنلاین و ویژگی‌های آن

 منجر به افزایش چگالی بسته بندی و هزینه های خنک سازی می شود.

افزاره های الکترونیکی قابل حمل به علت پیچیدگی ساختار، بیش از یک تک تراشه VLSI را به خود اختصاص می دهند. بیشتر توان تلفاتی در یک افزاره الکترونیکی قابل حمل، شامل مولفه های غیر دیجیتال است. تکنیک های موثر برای کاهش توان تلفاتی در چنین سامانه هایی که مربوط به قطع یا کاهش مولفه های نشتی است مدیریت توان دینامیک خوانده می شود. در سامانه های قدیمی ممکن است چندین طرح مدیریت توان دینامیک استفاده شود که یکی کردن آنها کار دشواری است و ممکن است نیاز به تکرار خیلی از طرح ها و اشکال زدایی داشته باشد. توان تلفاتی IC مولفه های مختلفی دارد و به نوع عملکرد مدار وابسته است.

پاسخ دهید متن کامل پایان نامه مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق

دانشکده تحصیلات تکمیلی

پایان نامه برای دریافت درجه کارشناسی ارشد

مهندسی برق – الکترونیک

عنوان:

ترانزیستورهای MOSFET با سورس و درین شاتکی و کانال کرنش یافته در ابعاد نانو

برای رعایت حریم خصوصی اسامی استاد راهنما،استاد مشاور و نگارنده درج نمی شود

تکه هایی از متن به عنوان نمونه :

چکیده:
افزایش کارایی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره حاصل می شود. با وجود مزیت های کوچک سازی، این روش با محدودیت های فیزیکی و اقتصادی روبروست و در نتیجه

 راه حل های جدیدی پیشنهاد میشود. کاربرد ساختار کرنش دار سیلیسیم . سیلیسیم ژرمانیم در ناحیه کانال ترانزیستور ماسفت، با افزایش قابلیت حرکت حامل ها و در نتیجه افزایش جریان حالت روشنی ترانزیستور، باعث افزایش کارایی حتی در طول کانال های بسیار کوچک می شود. اما یکی از چالش های اصلی در این میان وجود مقاومت های پارازیتی سورس و درین است.

در این پروژه، ترانزیستور ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته به عنوان ساختاری که این مشکل را مرتفع می کند مورد مطالعه و شبیه سازی قرار گرفته است. تونل زنی از سد شاتکی و جریان ترمویونی از سازوکارهای اصلی جریان در این افزاره است. استفاده از ساختار ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته موجب افزایش در قابلیت حرکت حامل ها، جریان حالت روشنی، نسبت Ion/Ioff و هدایت انتقالی این افزاره نسبت به ساختار متناظر ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال سیلیسیم شده است. افزاره ماسفت با سورس / درین فلزی و کانال کرنش یافته دارای جریان حالت روشنی کمتر نسبت به ساختار متناظر با سورس / درین آلاییده شده می باشد. با افزایش درصد مولی ژرمانیم در کانال سیلیسیم / ژرمانیم، جریان حالت روشن در این افزاره بهبود می یابد. همچنین شبیه سازی ها نشان می دهند کاهش ضخامت لایه کلاهک سیلیسیمی در این افزاره موجب بهبود چشمگیر مشخصه های الکتریکی شده است. جریان های تونل زنی و انتشار ترمویونی از سورس به بستر، از عوامل اصلی افزایش جریان حالت خاموشی و محدودیت عملکرد این

این مطلب را هم بخوانید :

بایگانی‌های آموزشی - دانلود متن کامل فایل های مقاله -پروژه-پایان نامه

 افزاره محسوب می شوند. جهت رفع این نقیصه، برای نخستین بار ساختار بدیع ماسفت با سورس درین فلزی و کانال کرنش یافته سیلیسیم – بروی – عایق پیشنهاد شده است به طوری که با بهره گرفتن از فناوری سیلیسیم – بروی – عایق، جریان حالت خاموشی به میزان 98% کاهش یافته است.

مقدمه:
با ساخت اولین ترانزیستور در سال 1947 میلادی، صنعت الکترونیک وارد مرحله جدیدی گردید. این فناوری در کمتر از 50 سال مرزهای میکرون را در نوردید و با عرضه تراشه Pentium IV توسط شرکت